Японская компания объявила о начале поставок образцов чипов памяти 3D QLC NAND, основанных на 2-терабитных кристаллах восьмого поколения BiCS.
Представители Kioxia заявляют, что эти кристаллы обладают самой высокой ёмкостью в отрасли, что способствует развитию различных прикладных сегментов, включая искусственный интеллект.
Технология BiCS, используемая в чипах 3D NAND от Kioxia, позволила добиться как вертикального, так и горизонтального масштабирования кристаллов памяти. Производитель подчеркнул, что в новых чипах применено решение CBA (CMOS direct Bonded to Array), которое увеличило скорость интерфейса до 3,6 Гбит/с. Микросхемы на базе 2-Тбит кристаллов с четырёхбитовыми ячейками (QLC) предлагают плотность хранения информации в 2,3 раза выше и эффективность записи на 70 % выше по сравнению с компонентами пятого поколения от Kioxia. Образец микросхемы размером 11,5 × 13,5 × 1,5 мм включает 16 кристаллов, обеспечивая суммарную ёмкость в 4 Тбайт.
Кроме того, Kioxia представила обновлённую версию QLC-кристаллов объёмом 1 Тбит. В отличие от предыдущего варианта, оптимизированного по ёмкости, новый вариант оптимизирован по скорости, обеспечивая на 30 % более высокую скорость последовательной записи и на 15 % меньшую задержку при чтении. Эти обновлённые 1-Тбит QLC-кристаллы будут применяться в высокопроизводительных устройствах, включая потребительские SSD и накопители для мобильных устройств.
