Ученые из MIT создали новый тип трёхмерных транзисторов, которые работают при значительно более низком напряжении, чем традиционные кремниевые. Это открытие обещает революцию в электронике, делая устройства более мощными и энергоэффективными.
Исследователи Массачусетского технологического института (MIT) создали инновационные трёхмерные транзисторы, которые могут работать при гораздо более низком напряжении, чем традиционные кремниевые решения. Эти транзисторы, использующие ультратонкие полупроводниковые материалы и вертикальные нанопровода, обещают стать основой для более эффективной и мощной электроники, которая найдет применение в таких устройствах, как смартфоны и автомобили.
Кремниевые транзисторы, являющиеся основой большинства электронных устройств, имеют ограничения по минимальному напряжению из-за физических законов, известных как «тирания Больцмана». Эти ограничения препятствуют улучшению энергоэффективности, особенно в контексте растущих потребностей технологий искусственного интеллекта, требующих высоких вычислительных мощностей. Новый тип транзисторов из MIT позволяет значительно снизить напряжение, обеспечивая такую же производительность, что и кремниевые аналоги, что может стать значительным шагом в развитии более энергоэффективной электроники.
Технология использует принципы квантовой механики, что позволяет увеличивать количество транзисторов на чипе, делая устройства быстрее и мощнее. Яньцзе Шао, один из авторов исследования, отмечает, что эта технология может заменить кремний в будущем, обеспечивая гораздо большую энергоэффективность.
Профессор Хесус дель Аламо добавил, что хотя для коммерческого применения предстоит решить множество задач, разработка уже сейчас выглядит как значительный прорыв в области электроники.
Результаты исследования опубликованы в журнале Nature.
